兆易翻新（325元）投资价值全领略：AI存储加价捏续性与高估值消化旅途（2026-2028）

收尾2026年2月24日，兆易翻新（[603986.SH](603986.SH)）股价325元，PE（TTM）158.9倍，春节假期AI存储价钱再度大涨。核心论断：短期加价仍有动能，但斜率将放缓；现时估值显赫透支，需靠事迹高增消化；永恒具备成长价值，妥当“事迹已毕+估值回落”后的分批布局，不提倡短期追高。以下洽商行业周期、公司基本面与事迹测算，逐个拆解。蔼然牛小伍

一、核心问题前置：AI存储加价预期是否仍存？（分阶段判断）

论断：2026年上半年加价细目性高，下半年趋缓；2027年高位颠簸，2028年或随供给开释小幅回调，非单边暴涨。

加价核心支捏（短期强，中期弱）

供给端刚性不断：三星、SK海力士、好意思光将70%以上产能转向HBM、DDR5，利基型DRAM（兆易核心）供给捏续减弱，2026年HBM产能已沿途售罄，行业库存仅4周（远低于安全线）。

需求端AI开动：AI做事器存储需求是传统做事器的8-10倍，AI PC、AI手机带动端侧存储容量升级（如AI手机DRAM树立至16GB），2026年DRAM供需缺口达4.9%（15年最高）。

加价节律与鸿沟

2026年：Q1合约价环比涨55%-60%（做事器DRAM近90%），Q2续涨20%，下半年涨幅收窄至5%-10%，价钱核心全年上移。

2027年：供需徐徐均衡，价钱督察高位颠簸，利基型DRAM或出现结构性分化。

2028年：外洋扩产+国产替代落地，供给加多，价钱或小幅回调5%-10%，记忆感性区间。

对兆易的影响：公司核心受益利基型DRAM与NOR Flash加价，价钱每涨10%，毛利率提高7-9个百分点；但公司抗拒直坐褥HBM，高端红利主要通过端侧AI与利基商场传导。

二、公司核心居品与业务组成（三大板块，存储为核心，MCU为补充）

兆易翻新是国内稀缺的存储+限度双轮开动芯片遐想公司，2025年上半年存储芯片占营收68.55%、利润70.9%，为实足核心。

业务板块

核心居品

市花式位

增长逻辑

毛利率

存储芯片（核心）

利基型DRAM（DDR4/LPDDR4）、NOR Flash、3D NAND

利基DRAM国产龙头；NOR Flash群众市占19%

AI端侧需求+外洋大厂产能退出+国产替代；2026年自研LPDDR4量产

45%-55%（加价期提高）

微限度器（MCU）

32位通用MCU、车规级MCU

国内市占前方；车规级国产化率不足5%，向15%迈进

汽车电子放量（单车价值量提高）+工业限度复苏+国产替代

30%-40%

其他（传感/模拟）

指纹传感器、模拟芯片

细分领域布局

浪掷电子复苏+协同效应

20%-25%

核心亮点：利基型DRAM是2025-2026年岁迹爆发点，2025年DDR4 8Gb销量快速上量；子公司青耘科技定制化存储（CacheRAM/TSV堆叠）2026年量产，卡位端侧AI蓝海。

三、2026-2028年岁迹增速与市盈率测算（保守/基准/乐不雅三口径）

以2025年岁迹为基数（展望营收92.03亿元，归母净利润16.1亿元，同比+25%/+46%），洽商加价节律、产能开释与国产替代程度，测算如下：

（一）事迹增速与净利润水平

年份

营收（亿元）

同比增速

归母净利润（亿元）

同比增速

核心开上路分

2026

147-165

60%-80%

30-36

86%-124%

存储价量皆升（利基DRAM出货+50%）+LPDDR4量产+NOR Flash加价

2027

200-230

36%-40%

45-54

50%-50%

外洋扩产落地+车规MCU翻倍+定制化存储孝顺增量

2028

250-290

25%-26%

58-72

29%-33%

行业神气巩固+限度效应+国产替代深入（DRAM自研比例提高）

核心假定：2026年存储价钱涨幅超预期，澳门威斯人app下载2027-2028年增速放缓；DRAM自研良率捏续提高，车规级居品占比逐年提高。

（二）市盈率水平与估值消化旅途

现时PE（TTM）158.9倍，显赫高于半导体行业平均（40-60倍）与公司历史核心（30-50倍），估值消化依赖事迹高增而非股价下降。

年份

合理PE区间

对应股价区间（元）

估值逻辑

2026

60-70

360-420

事迹高爆发+行业高景气，给以高估值溢价

2027

40-50

450-540

增速放缓，估值记忆，事迹照旧核心支捏

2028

30-40

580-720

持重增长，匹配行业龙头估值，消化结束

重要判断：2026年岁迹同比增速有望达100%左右，动态PE将从现时158.9倍降至60-70倍，估值压力大幅缓解。

四、投资价值全面判断（高成长与高估值的均衡）

（一）核心投资价值（永恒逻辑了了）

赛说念红利：AI开动存储行业进入“超等周期”，端侧AI（AI PC/手机/机器东说念主）带来永恒需求，利基型商场供需缺口捏续至2027年。

国产替代：利基型DRAM、车规级MCU国产化率低，公司当作龙头，受益于供应链安全需求，2026-2028年替代空间广袤。

居品矩阵协同：存储+MCU双轮开动，对冲单一业务周期波动；定制化存储布局提前，2026年量产将掀开新增长弧线。

（二）核心风险（短期需高度警惕）

估值回调风险：现时PE 158.9倍，若事迹不足预期（如存储加价放缓），股价可能濒临“杀估值”，短期回调幅度或达20%-30%。

行业周期风险：存储芯片具有强周期性，2027年后若供给开释超预期，价钱可能回调，导致事迹增速不足预期。

本事差距风险：公司在HBM、DDR5等高端居品上与三星、SK海力士存在差距，永恒需捏续研发参加，若本事迭代滞后，可能丧失竞争力。

五、实操提倡（贴合325元股价）

布局战术：不提倡短期追高（估值透支），妥当永恒布局（1-3年）。

分批建仓区间：260-280元（对应2026年PE 40-45倍，估值安全边缘填塞）。

止损区间：跌破250元（事迹不足预期或行业出现利空）。

核心追踪规画：利基型DRAM价钱走势、出货量；LPDDR4量产程度；车规级MCU营收增速；定制化存储（青耘科技）客户认证情况。

仓位限度：永恒树立仓位不逾越15%，短期投契仓位不逾越5%，侧目估值波动风险。

六、核心总结

加价预期：2026年上半年高细目性，下半年趋缓，2027-2028年记忆感性，非单边暴涨。

核心居品：利基型DRAM+NOR Flash为核心，车规级MCU与定制化存储为将来增长点。

事迹与估值：2026-2028年净利润复合增速50%-60%，现时高估值将通过事迹高增快速消化，2026年动态PE有望降至60-70倍。

投资价值：永恒具备高成长价值，短期估值风险高，提倡恭候回调至260-280元区间分批布局，要点追踪事迹已毕与本事发达。

蔼然牛小伍